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参数资料
| 型号： | 2N5654-STYLE-G |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2N5654-STYLE-G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5486 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5655 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5655/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
| 2N5655_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
| 2N5655G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5656 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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