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参数资料
| 型号： | 2N5657 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 497K |
| 代理商： | 2N5657 |
DC Current Gain (NPN type)
Collector Emitter Saturation Voltage (NPN type)
DC Current Gain (PNP type)
Collector Emitter Saturation Voltage (PNP type)
2N5657
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5657G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5658 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 10A 3PIN TO-59 - Bulk |
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