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参数资料
| 型号： | 2N5672 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2N5672 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5676.MOD | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N5683 | 60 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5684 | 60 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5685 | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5730 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-210AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5675 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| 2N5676 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PNP |
| 2N5677 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 5A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5678 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N5679 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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