型号: | 2N5677 |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 79K |
代理商: | 2N5677 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2N6227 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6246 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N3789 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N4908 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6231 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2N5678 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-63 - Bulk |
2N5679 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5679_02 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
2N5679JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
2N5680 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |