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参数资料
| 型号： | 2N5784 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2N5784 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5785 | 3500 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5830/J18Z | 200 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551/D28Z | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6719/D27Z | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
| 2N5400/D29Z | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5784_02 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
| 2N578489 | 制造商:n/a 功能描述:2N5784 |
| 2N5784SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
| 2N5784SMD05 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN |
| 2N5785 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Switch SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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