| 型号: | 2N5812 |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 750 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 73K |
| 代理商: | 2N5812 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5821 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA539 | 200 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA642 | 300 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5818 | 750 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA817 | 300 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5813 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5814 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5815 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5816 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5817 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |