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参数资料
| 型号： | 2N5817 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | 2N5817 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N3055H | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6545 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3055C | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6546 | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5818 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5819 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N582 | 制造商:n/a 功能描述:MIL-SPEC S6J1B |
| 2N5820 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 2N5821 | 制造商:undefined 功能描述: |
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