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参数资料
| 型号： | 2N5830 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2N5830 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1069 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N1131 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1132 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1131 | 600 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N699 | 200 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5830_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N5830_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5830_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5831 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
| 2N5832 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
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