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参数资料
| 型号： | 2N5876A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2N5876A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5877 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N5878 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GP Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5879 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N588 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-30 |
| 2N5880 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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