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参数资料
| 型号： | 2N5882 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CAN-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2N5882 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3848 | 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3849 | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5733 | 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5336CECC-D | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4999.MODR1 | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5882/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon NPN High Power Transistor |
| 2N5883 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5883 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 |
| 2N5883/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors |
| 2N5883G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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