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参数资料
| 型号： | 2N5886 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | 2N5886 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N5886G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2N5889 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5890 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
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