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参数资料
| 型号： | 2N5945 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | 2N5945 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5954 | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5955 | 6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5954 | 6 A, 85 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5956 | 6 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5954 | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5946 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE TRANSISTORS 450-512MHz CLASS C MOBILE APPLICATIONS |
| 2N5947 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | STX-8 |
| 2N5949 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-CHANNEL JFETS |
| 2N5950 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5950_J18Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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