型号: | 2N5952APM |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 27K |
代理商: | 2N5952APM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N5954 | 6 A, 85 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N5956 | 6 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N5953 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
2N5953_J35Z | 功能描述:JFET 30V N-CH JFET RDS ON RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
2N5953_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
2N5954 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 6A 2PIN TO-66 - Bulk |
2N5954_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |