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参数资料
| 型号： | 2N5960 |
| 厂商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-61/I, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/21页 |
| 文件大小： | 1128K |
| 代理商： | 2N5960 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4900 | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3879 | 7 A, 75 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5664 | 3 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3902 | 3 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3878 | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5961 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5961_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5961_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5962 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5962 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
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