- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33273 > 2N6030 (MOTOROLA INC) 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6030 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | 2N6030 |
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0.2
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
700
500
300
200
TJ = 25°C
Cib
Cob
NPN
2N5630, 2N5631
2000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
700
500
300
TJ = 25°C
NPN
2N5630, 2N5631
1000
Figure 8. DC Current Gain
500
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
30
10
300
100
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
50
20
7.0
10
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.05
IB, BASE CURRENT (AMP)
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
IC = 4.0 A
TJ = 25°C
8.0 A
16 A
1.6
3.0
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.2
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
Cib
Cob
500
0.2
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
30
10
300
100
50
20
7.0
10
TJ = +150°C
+ 25
°C
– 55
°C
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
2.0
0.05
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
1.6
3.0
IC = 4.0 A
8.0 A
16 A
TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5631 | 16 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5633.MOD | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5634LEADFREE | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5633LEADFREE | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5639RLRAG | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6031 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6031G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6032 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6033 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6034 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。