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参数资料
型号： 2N6036LEADFREE
厂商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件页数： 1/2页
文件大小： 41K
代理商： 2N6036LEADFREE
Power Transistors
TO-126 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(mA)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
2N4921
2N4918
1.0
30
40
30
150
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1.0
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2N4919
1.0
30
60
30
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500
0.6
1.0
3.0
2N4923
2N4920
1.0
30
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30
150
500
0.6
1.0
3.0
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1.5
2.0
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2N5194
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1,500
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1.5
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2N5195
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- -
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150
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- -
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- -
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- -
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- -
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1.0
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- -
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BD677A
BD678A
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(6-December 2004)
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PDF描述
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2N6037ECB 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6037
2N6038 功能描述:达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2N6038G 功能描述:达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2N6039 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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