- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33278 > 2N6044 (MOTOROLA INC) 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6044 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | 2N6044 |
2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
20,000
0.1
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
10
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
0.7
7.0
PNP
2N6040, 2N6041, 2N6042
NPN
2N6043, 2N6044, 2N6045
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
0.3
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.5
1.0
2.0
10
30
1.8
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
2.2
2.6
0.7
5.0
3.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
VBE @ VCE = 4.0 V
2.0
10,000
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4.0 V
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
1.4
6.0 A
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0
5.0
VCE = 4.0 V
20,000
0.1
200
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
10
0.7
7.0
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0
5.0
3.0
7.0
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
3.0
0.3
1.0
0.5
1.0
2.0
10
30
1.8
2.2
2.6
0.7
5.0
20
1.4
3.0
7.0
5.0
3.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2.0
7.0
5.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6050R1 | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6050 | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6050 | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6051 | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6050 | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6045 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6045G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6046 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N6047 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N6048 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。