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参数资料
| 型号： | 2N6047 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 封装： | TO-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2N6047 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5840 | 3 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5006 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6543 | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N4220A | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N4221 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6048 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
| 2N6049 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 55V 4A 3PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6049E | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
| 2N6050 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6050_12 | 制造商:COMSET 制造商全称:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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