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参数资料
| 型号： | 2N6052 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2N6052 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6052 | 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6052 | 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6053-JQR-BR1 | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6053-JQR-B | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6053.MOD | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6052 (JANTX SCREENED) | 制造商:NJS 功能描述: |
| 2N6052 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 |
| 2N6052/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6052_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6052G | 功能描述:达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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