参数资料
型号: 2N6052
厂商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件页数: 1/4页
文件大小: 160K
代理商: 2N6052
相关PDF资料
PDF描述
2N6058 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6079 7 A, 375 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N6081 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
2N6084 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
2N6107 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6052 (JANTX SCREENED) 制造商:NJS 功能描述:
2N6052 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
2N6052/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6052_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6052G 功能描述:达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel