型号: | 2N6107-6203 |
厂商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 6/9页 |
文件大小: | 483K |
代理商: | 2N6107-6203 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6107G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 70V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6107NSC | 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6107 S9G4B |
2N6107P2 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
2N6108 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
2N6109 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |