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参数资料
| 型号： | 2N6109-6203 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 483K |
| 代理商： | 2N6109-6203 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6475-6261 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6473-DR6280 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6476-DR6204 | 4 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
| 2N6475-6200 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6292-6258 | 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6109G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6110 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N6111 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6111G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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