型号: | 2N6119 |
英文描述: | PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
中文描述: | 可编程单结晶体管|到18 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 29K |
代理商: | 2N6119 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6198 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | STX-8 |
B12-28 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | STX-8 |
C3-28 | 2048-bit EEPROM tag IC at 13.56 MHz, with 64-bit UID and Password, ISO15693 and ISO18000-3 Mode 1 compliant |
C2M100-28 | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
C2M60-28 | Ultrafast recovery diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6120 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
2N6121 | 制造商:n/a 功能描述:2N6121 MOT N9H1D 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB |
2N6122 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
2N6123 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6123 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-220 |