参数资料
型号: 2N6122
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封装: TO-220, 3 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 57K
代理商: 2N6122
相关PDF资料
PDF描述
2N6131 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6289 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SA891 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5638 N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5653 N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6123 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6123 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-220
2N612340 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6124 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6125 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2