参数资料
型号: 2N6292AS
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-220AB, 3 PIN
文件页数: 22/60页
文件大小: 371K
代理商: 2N6292AS
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
相关PDF资料
PDF描述
2N6288AS 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6288 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6124 4 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6293 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6473 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6292G 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 70V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6292MOT 制造商:Motorola 功能描述:2N6292 S9G4A
2N6293 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6294 功能描述:两极晶体管 - BJT Power Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6295 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans Darlington NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-66 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N6295 - Bulk