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参数资料
| 型号： | 2N6299LEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 封装： | TO-66, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 639K |
| 代理商： | 2N6299LEADFREE |
Central
Semiconductor Corp.
TM
PROCESS
CP517
Power Transistor
PNP - Darlington Chip
PRINCIPAL DEVICE TYPES
2N6040
2N6041
2N6042
2N6299
Process
EPITAXIAL BASE
Die Size
111 X 111 MILS
Die Thickness
10 MILS
Base Bonding Pad Area
20 X 30 MILS
Emitter Bonding Pad Area
20 X 26 MILS
Top Side Metalization
Al - 30,000
Back Side Metalization
Au/Cr/Ni/Au - 6,000
PROCESS DETAILS
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
GEOMETRY
BACKSIDE COLLECTOR
R2 (18-August 2006)
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER
910
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PDF描述 |
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参数描述 |
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