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参数资料
| 型号： | 2N6385.MOD |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2N6385.MOD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6281-JQR-A | 50 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6354A | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6395 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6280-JQR | 50 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6280-JQR-BR1 | 50 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6385SMD05 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:SILICON POWER NPN |
| 2N6385SX | 制造商:RCA 功能描述: |
| 2N6386 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6387 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6387/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic Medium-Power Transistors |
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