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参数资料
| 型号： | 2N6386 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2N6386 |
IPN= 0258354 0000059 340
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6386 | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6388 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6426-J22Z | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6426/D26Z-J14Z | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6387 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6387/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic Medium-Power Transistors |
| 2N6387_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium−Power Silicon Transistors DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS 8 AND 10 AMPERES 65 WATTS, 60 − 80 VOLTS |
| 2N6387_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Silicon Transistors |
| 2N6387G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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