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参数资料
| 型号： | 2N6388BU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | 2N6388BU |
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3–124
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Plastic Medium-Power
Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6387
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6388
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc — 2N6387, 2N6388
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
TO–220AB Compact Package
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6387
2N6388
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
10
15
10
15
Adc
Base Current
IB
250
mAdc
Total Power Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
65
0.52
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation
@ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
2.0
0.016
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.92
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θJA
62.5
_C/W
80
40
20
0
20
40
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
60
TA TC
4.0
2.0
1.0
3.0
0
60
140
TA
TC
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6387
2N6388
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
8 AND 10 AMPERE
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
65 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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