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参数资料
| 型号： | 2N6422 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2N6422 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5740 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5608 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6476 | 4 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N6424 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 225V 1A 2PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6425 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 300V 1A 2PIN TO-66 - Bulk |
| 2N6425A | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:PNP |
| 2N6426 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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