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参数资料
| 型号： | 2N6426-18F |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92-18F, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | 2N6426-18F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5961-5T | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5961TRD | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3702-18R | 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6520TRH | 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089-18RLEADFREE | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6426G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6426MOT | 制造商:Motorola 功能描述:2N6426 |
| 2N6426RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6426RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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