型号: | 2N6426D75Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 295K |
代理商: | 2N6426D75Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6426J05Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N6427-STYLE-G | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N3416-STYLE-F | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6427-STYLE-B | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N5088 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6426G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2N6426MOT | 制造商:Motorola 功能描述:2N6426 |
2N6426RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2N6426RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2N6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |