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参数资料
| 型号： | 2N6428AD75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 2N6428AD75Z |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
2N64
28/
6428A
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
a=25°C unless otherwise noted
Refer to 2N5088 for graphs
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
50
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
V
IC
Collector Current
200
mA
PC
Collector Dissipation
625
mW
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC=100A, IE=0
60
V
BVCEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=1mA, IB=0
50
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB=30V, IE=0
10
nA
ICEO
Collector Cut-off Current
VCE=30V, IB=0
25
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE=5V, IC=0
10
hFE
* DC Current Gain
VCE=5V, IC=10A
VCE=5V, IC=100A
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IB=10mA
250
650
VCE (sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
0.2
0.6
V
VBE (on)
Base-Emitter On Voltage
IC=1mA, VCE=5V
0.56
0.66
V
Cob
Output Capacitance
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
3
pF
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE=5V, IC=1mA, f=100MHz
100
700
MHz
NF/NV
Noise Figure/Noise Voltage Level
: 2N6428
: 2N6428A
: 2N6428
: 2N6428A
: 2N6428
: 2N6428A
VCE=5V, IC=100A
(1) RS=10K, BW=1Hz
f=100Hz
(2) RS=50K, BW=15.7Hz
f=10Hz-10KHz
(3) RS=500, BW=1Hz
f=10Hz
3/18.1
2/16.2
6/5.7
4/4.6
3.5/4.3
3/4.1
dB/nV
2N6428/6428A
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V
Collector Dissipation: PC (max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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