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参数资料
| 型号： | 2N6487BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/61页 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | 2N6487BA |
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2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
3–134
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1.0 k
500
Z
θJC (t) = r(t) RθJC
R
θJC = 1.67°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
r(t),
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
20
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
2.0
10
20
80
TJ = 150°C
0.2
5.0
0.5
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
40
1.0
0.1
dc
2.0
60
4.0
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
5.0 ms
1.0 ms
500
s
100
s
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMP)
There are two limitations on the power handling ability of a
transistors average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
300
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
2.0
5.0
20
10
200
100
70
50
Cib
Cob
50
0.5
Figure 6. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t,TIME
(ns)
0.2
5.0
1.0
2.0
20
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
0.5
tf
5000
100
200
1000
500
50
NPN
PNP
10
Figure 7. Capacitances
Cob
NPN
PNP
700
1000
TJ = 25°C
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| 2N6488G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 80V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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