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参数资料
型号： 2N6488BU
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 20/61页
文件大小： 367K
代理商： 2N6488BU
5–5
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D 3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.090 BSC
2.29 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.350
0.380
8.89
9.65
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.050
0.090
1.27
2.28
V
0.030
0.050
0.77
1.27
CASE 369–07
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 369A–13
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.020
0.050
0.51
1.27
U
0.020
–––
0.51
–––
V
0.030
0.050
0.77
1.27
Z
0.138
–––
3.51
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
2.8
2.9
1.102
1.142
MILLIMETERS
B
19.3
20.3
0.760
0.800
C
4.7
5.3
0.185
0.209
D
0.93
1.48
0.037
0.058
E
1.9
2.1
0.075
0.083
F
2.2
2.4
0.087
0.102
G
5.45 BSC
0.215 BSC
H
2.6
3.0
0.102
0.118
J
0.43
0.78
0.017
0.031
K
17.6
18.8
0.693
0.740
L
11.0
11.4
0.433
0.449
N
3.95
4.75
0.156
0.187
P
2.2
2.6
0.087
0.102
Q
3.1
3.5
0.122
0.137
R
2.15
2.35
0.085
0.093
U
6.1
6.5
0.240
0.256
W
2.8
3.2
0.110
0.125
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
0.25 (0.010) M TB M
CASE 340G–02
J
R
H
N
U
L
P
A
K
C
E
F
D
G
W
2 PL
3 PL
0.25 (0.010) M YQ S
12
3
–B–
–Q–
–Y–
–T–
(TO–3PBL)
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2N6489 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N649093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490G 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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