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参数资料
| 型号： | 2N6497BVBV |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | 2N6497BVBV |
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3–136
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
High Voltage NPN Silicon Power
Transistors
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line–operated
amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications.
High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) — 2N6497
VCEO(sus) = 300 Vdc (Min) — 2N6498
Excellent DC Current Gain
hFE = 10–75 @ IC = 2.5 Adc
Low Collector–Emitter Saturation Voltage @ IC = 2.5 Adc —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) — 2N6497
VCE(sat) = 1.25 Vdc (Max) — 2N6498
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6497
2N6498
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
250
300
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
350
400
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
6.0
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
IC
5.0
10
5.0
10
Adc
Base Current
IB
2.0
2.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
80
0.64
80
0.64
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ,Tstg
– 65 to + 150
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.56
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6497
2N6498
*Motorola Preferred Device
5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
250 & 300 VOLTS
80 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6498BVBV | 5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6500.MODR1 | 4 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6500-JQR-B | 4 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6513 | 7 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6513R1 | 7 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6497G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 250V 80W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6498 | 制造商:BOCA 制造商全称:Boca Semiconductor Corporation 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 2N6499 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 350V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTORNPN5A350VTO220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR,NPN,5A,350V,TO220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency Typ ft:5MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2N65 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N65_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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