| 型号: | 2N6510 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | METAL CAN-2 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 70K |
| 代理商: | 2N6510 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N6579 | 12 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6511 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 250V 7A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6512 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 7A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6513 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 7A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6514 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 7A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6515 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |