参数资料
型号: 2N6516TRA
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 1/6页
文件大小: 406K
代理商: 2N6516TRA
相关PDF资料
PDF描述
2N4403-18FLEADFREE 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123-18FLEADFREE 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3702TRC 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3860TRD 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3904TRG 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6517 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6517 -AP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
2N6517_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
2N6517BU 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6517CBU 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/350V/625mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2