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参数资料
| 型号： | 2N6517 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2N6517 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N651A | 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N6544.MOD | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N656 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N6649 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6659 | 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6517 -AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N6517_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 2N6517BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517CBU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/350V/625mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517CTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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