型号: | 2N6519 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 209K |
代理商: | 2N6519 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6517RLRP | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6517RLRM | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6519RLRA | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6520RLRF | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6515RLRM | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6519BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6519RLRA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
2N6519TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6519TA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N651A | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |