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参数资料
| 型号： | 2N6520D27Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N6520D27Z |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
2N65
20
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn-On Time
Figure 4. Turn-Off Time
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. Capacitance
-1
-10
-100
-1000
-10000
1
10
100
1000
VCE = -20V
h
FE
,DC
C
URRE
NT
G
A
IN
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-10000
-10
-100
-1000
-10000
I
C = 10 IB
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
a
t)[
m
V
],
S
A
T
U
R
A
T
IO
N
V
O
L
T
A
G
E
I
C[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
10
100
1000
I
C/IB= 5
T
J=25
oC
V
CE(off) = -100V
t
D @ VBE(off)=-2.0V
t
R
t[
ns
],TIM
E
I
C[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
100
1000
IC/IB= 5
IB1 = IB2
TJ=25
oC
VCE(off) = -100V
tSTG
tF
t[
ns
],TIM
E
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-55
o
C to 25
o
C
-55
o
C to 125
o
C
-55
o
C to 125
o
C
R
θ VB for VBE
Rθ
VC for VCE(sat)
I
C/IB = 10
R[
m
V
/
o
C]
,THERM
A
L
CO
EFF
ICI
ENT
S
I
C[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
Cob
Cib
f=1MHz
C
ib
[p
F
],
C
ob
[p
F
],
CAPA
CI
T
A
NCE
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
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