型号: | 2N6560-JQRR1 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N6560-JQRR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6560R1 | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6560.MODR1 | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N656 | 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
2N656 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N6576R1 | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6561 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
2N6562 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 450V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
2N6563 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
2N6564 | 制造商:BOCA 制造商全称:Boca Semiconductor Corporation 功能描述:SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
2N6565 | 功能描述:SCR 400V .8A 800uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |