| 型号: | 2N6653.MOD |
| 厂商: | SEMELAB LTD |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 11K |
| 代理商: | 2N6653.MOD |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6659 | 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6725/D10Z | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
| 2N5307/D28Z | 300 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5308/D89Z | 300 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6427/D81Z | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6654 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6655 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6658 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| 2N6659 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6659-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk |