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参数资料
| 型号： | 2N6655 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2N6655 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6658 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| 2N6659 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6659-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk |
| 2N6659-E3 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6660 | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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