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参数资料
| 型号： | 2N6660LCC4-JQR-B |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LCC4-15 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2N6660LCC4-JQR-B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6789R1 | 3.5 A, 150 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6799LCC4-JQR-A | 3 A, 350 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6791LCC6-JQR-B | 2 A, 350 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6795R1 | 8 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6766R1 | 30 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6660X | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N6661 | 功能描述:MOSFET 90V 4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N6661_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6661_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
| 2N6661-2 | 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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