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参数资料
| 型号： | 2N6661-QRR1 |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.9 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-220M, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2N6661-QRR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6660-SM | 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6661LCC4-JQR-B | 0.9 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4 | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4-JQR-A | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6756R1 | 14 A, 100 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6666 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
| 2N6667_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6667G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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