- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49881 > 2N6717L (DIODES INC) 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6717L |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2N6717L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6728K | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6718M1 | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6729-J61Z | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6729-05 | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6733LEADFREE | 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-237AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6717STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6718 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6718_10 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。