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参数资料
型号： 2N6726
厂商： DIODES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件页数： 1/1页
文件大小： 49K
代理商： 2N6726
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Gain of 50 at IC = 1 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
2N6726
2N6727
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
-50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-30
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Peak Pulse Current
ICM
-2
A
Continuous Collector Current
IC
-1
A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6726
2N6727
UNIT CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-40
-50
V
IC=-1mA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-30
-40
V
IC=-10mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-5
V
IE=-1mA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
-0.1
A
A
VCB=-40V, IE=0
VCB=-50V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
-0.1
A
VEB=-5V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
-0.5
V
IC=-1A, IB=-100mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
VBE(on)
-1.2
V
IC=-1A, VCE=-1V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
hFE
55
60
50
250
55
60
50
250
IC=-10mA, VCE=-1V*
IC=-100mA, VCE=-1V*
IC=-1A, VCE=-1V*
Transition
Frequency
fT
50
500
50
500
MHz
IC=-50mA, VCE=-10V
Collector Base
Capacitance
CCB
30
pF
VCE=-10V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
2N6726
2N6727
3-8
C
B
E
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