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参数资料
型号： 2N6729
厂商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA
封装： PLASTIC, TO-237, 3 PIN
文件页数： 1/1页
文件大小： 32K
代理商： 2N6729
www.centr alsemi.com
Power Transistors
TO-237 Case
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD BVCBO BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
*BVCES
(A)
(W)
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
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2N6726
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1,000
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2.0
50
40
50
250
1,000
0.5
1,000
50
2N6716
2N6728
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50
250
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50
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50
250
0.35
250
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2.0
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40
200
30
- -
30
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2.0
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50
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100
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4,000
40,000
1,000
1.0
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1.0
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1.5
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200
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2.0
20
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2.0
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200
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2.0
20
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2.0
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- -
500
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500
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2.5
40
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- -
100
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1,000
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- -
100
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- -
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(6-December 2004)
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PDF描述
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参数描述
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2N6729STOB 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6729STZ 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6730 功能描述:两极晶体管 - BJT POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N6730STOA 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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