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参数资料
| 型号： | 2N6806 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6.5 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 16K |
| 代理商： | 2N6806 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6845-QR-BR1 | 4 A, 100 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| 2N6845-QR-B | 4 A, 100 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| 2N6845-JQR | 4 A, 100 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| 2N6845 | 4 A, 100 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| 2N6845R1 | 4 A, 100 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N681 | 功能描述:SCR 25V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N681A | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
| 2N682 | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N682 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCR THYRISTOR |
| 2N6823 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-3 |
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